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以光(guāng)代電:深度硬交叉 考驗軟實力

以光(guāng)代電:深度硬交叉 考驗軟實力

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  • 發布時(shí)間:2021-09-28
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以光(guāng)代電:深度硬交叉 考驗軟實力

  集成電路發展至今,電子一直承擔著(zhe)在集成芯片中傳輸信息的(de)功能。随著(zhe)集成電路密度越來(lái)越接近物(wù)理(lǐ)極限,芯片越來(lái)越難以單純靠升級制程實現性能提升。将傳輸信息的(de)載體由電子轉換爲更高(gāo)帶寬、更低功耗的(de)光(guāng)子被認爲是後摩爾時(shí)代實現芯片性能升級的(de)新渠道。

  全光(guāng)芯片尚遠(yuǎn),光(guāng)電融合是必經之路

  “光(guāng)子芯片”是指由光(guāng)路感知、傳輸和(hé)處理(lǐ)信息的(de)芯片。目前,純光(guāng)子器件已能作爲獨立的(de)功能模塊使用(yòng),但是,由于光(guāng)子本身不具備靈活的(de)控制能力,也(yě)沒有類似微電子中寄存器一樣的(de)光(guāng)子存儲單元,純光(guāng)子器件自身難以實現完整獨立的(de)功能,光(guāng)信号控制和(hé)信息存儲依然需借助電子器件實現。因此,完美(měi)意義上的(de)純“光(guāng)子芯片”仍處于概念階段,尚未形成可(kě)實用(yòng)的(de)系統。嚴格意義上講,當前的(de)“光(guāng)子芯片”應該是指集成了(le)光(guāng)子器件或光(guāng)子功能單元的(de)光(guāng)電融合芯片。

  華中科技大(dà)學光(guāng)學與電子信息學院和(hé)武漢國家廣電研究中心教授譚旻告訴《中國電子報》記者,目前,全球在光(guāng)子芯片方面的(de)研究工作主要集中在光(guāng)子器件的(de)制備方面,下(xià)一階段需要實現光(guāng)和(hé)電在回路級的(de)融合,現在整個(gè)研究領域正處在從光(guāng)子器件物(wù)理(lǐ)制備到光(guāng)電融合回路設計的(de)轉折階段。他(tā)認爲,如果要進行大(dà)規模實用(yòng)化(huà),光(guāng)和(hé)電的(de)回路級融合是必經之路:“全光(guāng)芯片在短期内無法實現,光(guāng)電融合芯片很有可(kě)能是光(guāng)子芯片的(de)終極形式。”

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